Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, SiSHA04DN
- RS-artikelnummer:
- 188-4896
- Tillv. art.nr:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 188-4896
- Tillv. art.nr:
- SISHA04DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | SiSHA04DN | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8SH | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.00215Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -16V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Höjd | 930μm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie SiSHA04DN | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8SH | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.00215Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -16V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.3mm | ||
Höjd 930μm | ||
Längd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET ® Gen IV effekt-MOSFET
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, SiSHA04DN
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -104 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 67.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, ThunderFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 42.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 45.3 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET