Vishay 3 Typ P, Typ N Kanal Gemensam drain, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 10 Ben, Tredubbel matris, TrenchFET AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 188-5065
Tillv. art.nr:: SQUN702E-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay 3 Typ P, Typ N Kanal Gemensam drain, MOSFET, 30 A 200 V Förbättring, 10 Ben, Tredubbel matris, TrenchFET AEC-Q101

För närvarande inte tillgänglig

Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.

RS-artikelnummer:: 188-5065
Tillv. art.nr:: SQUN702E-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P, Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	30A
	Maximal källspänning för dränering Vds	200V
	Kapseltyp	Tredubbel matris
	Serie	TrenchFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	10
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	60W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	23nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	0.79V
	Transistorkonfiguration	Gemensam drain
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Antal element per chip	3
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P, Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A
	Maximal källspänning för dränering Vds 200V
	Kapseltyp Tredubbel matris
	Serie TrenchFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 10
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 60W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 23nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 0.79V
	Transistorkonfiguration Gemensam drain
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden No
	Antal element per chip 3
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet SQUN702E-T1_GE3

MOSFET från Vishay TrenchFET-serien, 200 V drain-källspänning, 30 A kontinuerlig drain-ström – SQUN702E-T1_GE3

Denna MOSFET är en ytmonterad transistorenhet som är utformad för strömomkoppling i krävande miljöer. Den använder en trefaldig topologi i en konfiguration med gemensam drain för att hantera förhöjda spänningar och strömmar samtidigt som den stöder både P-kanal- och N-kanalförbättringslägen för flexibel kretsintegrering.

Funktioner och fördelar:

• 200 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• Kontinuerlig dräneringsström på 30 A stöder hantering av tung belastning
• 60 W avledning möjliggör kontinuerlig strömförsörjning
• 20 V gate-tolerans möjliggör robust gate-drivmarginal
• 23 nC typisk grindladdning ger förutsägbar omkopplingsenergi
• Maximal drift på +175 °C passar för användning vid höga temperaturer

Användningsområden

• Lämplig för fordonsströmfördelningsmoduler
• Används för högspännings-DC-DC-omvandlingsstadier
• Idealisk för halvbrygga för motordrivare
• Kan användas för kompakta ytmonterade nätaggregat
• Används med synkrona likriktningskretsar för effektivitet

Vilken stiftkonfiguration använder den för kretskortslayout?

Enheten använder ett 10-stiftspaket i ett gemensamt dräneringsarrangemang, vilket möjliggör specifik routing av käll- och grindanslutningar samtidigt som dräneringen hålls gemensam över den tredubbla matningsstrukturen.

Hur fungerar den inneboende dioden under ledning?

Kroppsdioden uppvisar en framåtriktad spänning på 0,79 V, vilket påverkar ledningsförluster och termisk belastning under omvänd återhämtning.

Finns båda kanalpolariteterna på samma komponent?

Enheten innehåller både P-kanal- och N-kanal-element implementerade som förstärkningslägestransistorer för att rymma kompletterande omkopplingstopologier.

Vilket omgivningstemperaturområde kan den tolerera under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till +175 °C, vilket möjliggör användning över ett brett temperaturområde i tuffa förhållanden.