DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 7.1 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN6040SE AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 182-7066
- Tillv. art.nr:
- DMN6040SE-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
115,15 kr
(exkl. moms)
143,95 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Begränsat lager
- 25 kvar, redo att levereras
- Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 17 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 4,606 kr | 115,15 kr |
| 100 - 475 | 3,682 kr | 92,05 kr |
| 500 - 975 | 3,082 kr | 77,05 kr |
| 1000 - 1975 | 2,831 kr | 70,78 kr |
| 2000 + | 2,648 kr | 66,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-7066
- Tillv. art.nr:
- DMN6040SE-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | DMN6040SE | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 55mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.55mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.65mm | |
| Längd | 6.55mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie DMN6040SE | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 55mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.55mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.65mm | ||
Längd 6.55mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna MOSFET är utformad för att minimera på-motståndet (RDS(ON)) och ändå bibehålla överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar.
100 % oklämd induktiv omkopplare (UIS) test i produktion
Lågt motstånd vid tändning
Blyfri yta
Halogen- och antimonfri. Grön enhet
Användningsområden
Motorstyrning
Omkopplare för transformatorstyrning
DC/DC-omvandlare
Strömhanteringsfunktioner
Avbrottsfritt nätaggregat
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 7.1 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN6040SE AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 15.4 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 18.2 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5.6 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMN6068SE AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 260 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 70 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.4 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101