DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 260 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 823-1851
- Tillv. art.nr:
- ZVP4525GTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
191,26 kr
(exkl. moms)
239,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 9,563 kr | 191,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 823-1851
- Tillv. art.nr:
- ZVP4525GTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 260mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -40V, +40V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 970mV | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.45nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.7mm | |
| Höjd | 1.7mm | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 260mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -40V, +40V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 970mV | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.45nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.7mm | ||
Höjd 1.7mm | ||
Bredd 3.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
P-kanal MOSFET, 100 V till 450 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 260 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 260 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 6.4 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 70 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 310 mA 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 18.2 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMP6A17G AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q104,
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMP10A18G AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q101,