onsemi N Kanal, MOSFET, 128 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDP
- RS-artikelnummer:
- 181-1859
- Tillv. art.nr:
- FDP4D5N10C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rör med 800 enheter)*
19 845,60 kr
(exkl. moms)
24 807,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 800 + | 24,807 kr | 19 845,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 181-1859
- Tillv. art.nr:
- FDP4D5N10C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 128A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | FDP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 15.21mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 128A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie FDP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 15.21mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Denna N-kanal MV MOSFET är tillverkad med ON Semiconductors avancerade PowerTrench®-process som innehåller skärmad grindteknik. Denna process har optimerats för att minimera motståndet i on-state och ändå behålla överlägsen omkopplingsprestanda med klassens bästa mjuka husdiod.
Max RDS(on) = 4,5 mΩ vid VGS = 10 V, ID = 128 A
Effekttäthet och skärmad grind, effekttäthet och skärmad grind, hög effektivitet/hög prestanda
Trench-teknik med hög prestanda för extremt låg RDS(on)
Hög effekttäthet med skärmad grindteknik
Extremt låg omvänd återställningsladd, Qrr
Låg Vds-spik intern dämpfunktion.
Låg grindladdning, QG = 48 nC (typ.)
Låg omkopplingsförlust
Hög effekt- och strömhanteringsförmåga
Låg Qrr/Trr
Mjuk återhämtningsprestanda
Synkron utjämning för ATX / server / arbetsstation / telekom PSU / adapter och industriella nätaggregat.
Motorstyrningar och avbrottsfria nätaggregat
Mikro-solcellsväxelriktare
Server
Telekommunikation
Datorteknik (ATX, arbetsstation, adapter, industriella nätaggregat etc.)
Motorstyrning
Avbrottsfria nätaggregat
Solinverterare
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 128 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDP
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 222 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDP
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 128 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, FDPF
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220