Vishay Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 32 A 500 V, 3 Ben, TO-247AC
- RS-artikelnummer:
- 180-8653
- Tillv. art.nr:
- IRFP32N50KPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 180-8653
- Tillv. art.nr:
- IRFP32N50KPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 32A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | TO-247AC | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.16Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 460W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 190nC | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 16.25mm | |
| Bredd | 15.87mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS 2002/95/EC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 32A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp TO-247AC | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.16Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 460W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 190nC | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 16.25mm | ||
Bredd 15.87mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS 2002/95/EC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET är en N-kanal, TO-247AC-3-kapsel är en ny tidsprodukt med en dräneringskällspänning på 500 V och maximal grindkällspänning på 30 V. Den har ett drain-source-motstånd på 160 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. MOSFET har en maximal effektförlust på 460 W. Denna produkt har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Fullt karakteriserad kapacitet, lavin-spänning och ström
• Förbättrad grind, avlön och dynamisk dV/dt
• Blyfri (Pb) komponent
• Låg grindladdning Qg resulterar i enkla drivrutiner
• Låg RDS (på)
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C
Användningsområden
• Hårdväxling och högfrekvenskretsar
• Strömomkoppling med hög hastighet
• Strömförsörjning i omkopplingsläge (SMPS)
• Avbrottsfri strömförsörjning
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 32 A 500 V, 3 Ben, TO-247AC
- Vishay 1 Typ N, Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 23 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP
- Vishay Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 6.8 A 600 V, TO-247AC
- Vishay Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 47 A 650 V, TO-247AC, E
- Vishay Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 27 A 600 V, 3 Ben, TO-247AC
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, SiHG32N50D
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, SiHG20N50C
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, E