Vishay 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 23 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP
- RS-artikelnummer:
- 165-2831
- Tillv. art.nr:
- IRFP23N50LPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 165-2831
- Tillv. art.nr:
- IRFP23N50LPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Kanaltyp | N | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 23 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 500 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-247AC | |
| Serie | IRFP | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | 1.5 V | |
| Höjd | 20.7 mm | |
| Längd | 15.87 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 235 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 370 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Genomgående hål, Genomgående hål | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs | 150 nC | |
| Bredd | 5.31 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Antal element per chip 1 | ||
Kanaltyp N | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 23 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 500 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-247AC | ||
Serie IRFP | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Framåtriktad spänning (Vf) 1.5 V | ||
Höjd 20.7 mm | ||
Längd 15.87 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 235 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 370 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Genomgående hål, Genomgående hål | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs 150 nC | ||
Bredd 5.31 mm | ||
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 23 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, IRFP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, IRFP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 22 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, IRFP
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 23 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP360
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, SiHG32N50D
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, SiHG20N50C
