Vishay N Kanal, MOSFET, 200 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, TO-236, TN2404K
- RS-artikelnummer:
- 180-8155
- Tillv. art.nr:
- TN2404K-T1-E3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 180-8155
- Tillv. art.nr:
- TN2404K-T1-E3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 200 mA | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 240 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-236 | |
| Serie | TN2404K | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | 1.2 V | |
| Höjd | 1.12 mm | |
| Längd | 3.04 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 4 Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 0.36 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs | 4.87 nC | |
| Bredd | 2.64 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 200 mA | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 240 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-236 | ||
Serie TN2404K | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Framåtriktad spänning (Vf) 1.2 V | ||
Höjd 1.12 mm | ||
Längd 3.04 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 4 Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 0.36 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Yta | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs 4.87 nC | ||
Bredd 2.64 mm | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 240V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 4ohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 360mW and continuous drain current of 200mA. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 2.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Easily driven without buffer
• Excellent thermal stability
• Full voltage operation
• Low error voltage
• Low input and output leakage
• Low offset voltage
• Low on resistance: 4ohms
• Low power/voltage driven
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• Secondary breakdown free: 260V
Applications
• High voltage drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, transistors, etc
• Motor control
• Power supply, converters
• Telephone mute switches, ringer circuits
Certifications
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 200 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, TO-236, TN2404K
- Vishay N Kanal, MOSFET, 300 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TN2404K/TN2404KL/BS107KL
- Infineon N Kanal, MOSFET, 236 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CSFD
- onsemi N Kanal, MOSFET, 236 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDFN, NTMTS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 6.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, Si7850DP
- Vishay N Kanal Dubbel, MOSFET, 6.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPack, SI7216DN
- Vishay N Kanal, MOSFET, 600 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, Si1302DL
- Vishay N Kanal, MOSFET, 9.5 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET