Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TN2404K/TN2404KL/BS107KL
- RS-artikelnummer:
- 818-7647
- Tillv. art.nr:
- TN2404K-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
164,20 kr
(exkl. moms)
205,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 640 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 8,21 kr | 164,20 kr |
| 200 - 480 | 7,706 kr | 154,12 kr |
| 500 - 980 | 7,392 kr | 147,84 kr |
| 1000 - 1980 | 6,58 kr | 131,60 kr |
| 2000 + | 6,16 kr | 123,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 818-7647
- Tillv. art.nr:
- TN2404K-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 240V | |
| Serie | TN2404K/TN2404KL/BS107KL | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.87nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 510mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 240V | ||
Serie TN2404K/TN2404KL/BS107KL | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.87nC | ||
Maximal effektförlust Pd 510mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.02mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 200 V till 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 300 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TN2404K/TN2404KL/BS107KL
- Vishay Typ N, Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, TO-236, TN2404K
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2374DS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4.4 A 8 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2305CDS
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.6 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2318CDS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2333DDS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4.4 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2319CDS
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
