Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 12 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7898
Tillv. art.nr:: SI1401EDH-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 4 A 12 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, TrenchFET

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

26,40 kr

(exkl. moms)

33,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 2 900 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 +	1,056 kr	26,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7898
Tillv. art.nr:: SI1401EDH-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	4A
	Maximal källspänning för dränering Vds	12V
	Kapseltyp	SOT-363
	Serie	TrenchFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	6
	Maximal drain-källresistans Rds	34mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	14.1nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	1.8W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.1mm
	Längd	2.2mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A
	Maximal källspänning för dränering Vds 12V
	Kapseltyp SOT-363
	Serie TrenchFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 6
	Maximal drain-källresistans Rds 34mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.1nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 1.8W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.1mm
	Längd 2.2mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

Vishays ytmonterade P-kanal MOSFET är en ny tidsålderprodukt med en dräneringskällspänning på 12 V och en maximal grindkällspänning på 10 V. Den har drain-source-motstånd på 34 mohm vid en gate-source-spänning på 4,5 V. Den har en maximal effektförlust på 2,8 W och en kontinuerlig dräneringsström på 4 A. Minsta och maximala drivspänning för denna transistor är 1,5 V respektive 4,5 V. MOSFET har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• Halogenfria

• Fri från bly (Pb)

• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C

• TrenchFET effekt MOSFET

• Typisk ESD-prestanda 1500 V

Användningsområden

• Mobiltelefon

• DSC

• GPS

• Lastbrytare

• MP3

• PA-switch och batteriswitch för bärbara enheter

• Bärbar spelkonsol

Certifieringar

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg-testad