Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- RS-artikelnummer:
- 180-7730
- Tillv. art.nr:
- SIS443DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 180-7730
- Tillv. art.nr:
- SIS443DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 35A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0117Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 41.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 3.61 mm | |
| Höjd | 0.79mm | |
| Längd | 3.61mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0117Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 3.61 mm | ||
Höjd 0.79mm | ||
Längd 3.61mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel PowerPAK-1212-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 40V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 11.7mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 52W and continuous drain current of 35A. It has a minimum and a maximum driving voltage 4.5V and 10V respectively. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Adaptor switches
• DC/DC converters
• Load switches
• Mobile computing
• Notebook computers
• Power management
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
• UIS tested
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal 35 A 40 V PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P Kanal 35 A 20 V Förbättring PowerPAK 1212-8, Si7615ADN
- Vishay Typ P Kanal 35 A 30 V Förbättring PowerPAK 1212, SiSH101DN
- Vishay Typ P Kanal 35 A 20 V Förbättring PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay Typ P Kanal 8.9 A 150 V PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P Kanal 13.2 A 100 V PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P Kanal 18 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 3.8 A 200 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET
