Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- RS-artikelnummer:
- 180-7730
- Tillv. art.nr:
- SIS443DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 180-7730
- Tillv. art.nr:
- SIS443DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 35A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0117Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 41.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 52W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.79mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 3.61mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 35A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0117Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 52W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.79mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 3.61mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
Vishays ytmonterade P-kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET är en ny tidsprodukt med en dräneringskällspänning på 40 V och en maximal grindkällspänning på 20 V. Den har ett drain-source-motstånd på 11,7 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 52 W och kontinuerlig dräneringsström på 35 A. Den har en lägsta och en högsta drivspänning på 4,5 V respektive 10 V. Denna produkt har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C
• TrenchFET effekt MOSFET
Användningsområden
• Adapteromkopplare
• DC/DC-omvandlare
• Lastomkopplare
• Mobil datoranvändning
• Bärbara datorer
• Strömhantering
Certifieringar
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-testad
• UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 40 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7615ADN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSH101DN
- Vishay 1 Typ P, Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 35 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, Si7129DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8.9 A 150 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 13.2 A 100 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET