onsemi N Kanal, MOSFET, 68 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NTTFS6H850N
- RS-artikelnummer:
- 178-4439
- Tillv. art.nr:
- NTTFS6H850NTAG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
120,51 kr
(exkl. moms)
150,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 12,051 kr | 120,51 kr |
| 100 - 240 | 9,341 kr | 93,41 kr |
| 250 - 490 | 9,094 kr | 90,94 kr |
| 500 - 990 | 7,974 kr | 79,74 kr |
| 1000 + | 6,765 kr | 67,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-4439
- Tillv. art.nr:
- NTTFS6H850NTAG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 68A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | NTTFS6H850N | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 107W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 3.15mm | |
| Längd | 3.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 68A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie NTTFS6H850N | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 107W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 3.15mm | ||
Längd 3.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Kommersiell effekt-MOSFET i ett 3 x 3 mm flatkabelpaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda.
Egenskaper
Lågt motstånd vid tändning
Låg grindladdning
Litet fotavtryck (3 x 3 mm)
Fördelar
Minimerar ledningsförluster
Minimerar omkopplingsförluster
Kompakt design
Användningsområden
Reverserbatteriskydd
Strömbrytare (High Side-drivare, Low Side-drivare, H-bryggor etc.)
Synkroniserad korrigering:
End Products
Motorstyrning
Batterihantering
Switchande nätaggregat
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NTTFS6H850N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NVTFS6H850N AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 83 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 76 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 130 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 122 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench