Vishay Siliconix 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET

Antal 10 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

80,53 kr

(exkl. moms)

100,66 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 3 860 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
10 +8,053 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
178-3932P
Tillv. art.nr:
SiZ348DT-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay Siliconix

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

PowerPAIR 3 x 3

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

10mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12.1nC

Maximal effektförlust Pd

16.7W

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Maximal arbetstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.75mm

Längd

3mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle

Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching

Relaterade länkar