Vishay Siliconix 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 178-3702
- Tillv. art.nr:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
11 754,00 kr
(exkl. moms)
14 694,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,918 kr | 11 754,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-3702
- Tillv. art.nr:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay Siliconix
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay Siliconix | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAIR 3 x 3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 16.7W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay Siliconix | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAIR 3 x 3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 16.7W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 0.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Undantagen
TrenchFET® Gen IV effekt-MOSFET
High-side- och low-side-MOSFET-transistorer bildar en optimerad kombination för 50 % arbetscykel
Optimerad RDS - Qg och RDS - Qgd FOM ökar effektiviteten för högfrekvensomkoppling
Relaterade länkar
- Vishay Siliconix 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 258 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 257 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 69.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 32.5 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 31.8 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay Dubbel N Kanal, MOSFET, 125 A 30 V Förbättring, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 38 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV