Infineon N Kanal, MOSFET, 85 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 178-1416
- Tillv. art.nr:
- IRFB4321PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
896,55 kr
(exkl. moms)
1 120,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 950 enhet(er) från den 02 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 17,931 kr | 896,55 kr |
| 100 - 200 | 16,137 kr | 806,85 kr |
| 250 + | 15,445 kr | 772,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-1416
- Tillv. art.nr:
- IRFB4321PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 85A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 350W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 4.82mm | |
| Höjd | 9.02mm | |
| Längd | 10.66mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 85A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 350W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 4.82mm | ||
Höjd 9.02mm | ||
Längd 10.66mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 150 V maximal drain-source-spänning, 85 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFB4321PBF
Denna MOSFET är en effekttransistor med genomgående hål som är utformad för högströmsomkoppling i krävande miljöer. Det är en N-kanalförstärkningsenhet som levereras i en TO‐220-kapsel för enkel kretskortsmontering. Komponenten stöder breda drifttemperaturer som är lämpliga för industriella sammanhang och överensstämmer med RoHS.
Funktioner och fördelar:
• Maximal effektförlust på 350 W möjliggör hantering av tung belastning
• 15 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster
• 71 nC typisk grindladdning stöder snabb omkopplingskontroll
• 30 V maximal gate-källspänning möjliggör robust gate-drivning
• Driftområde -55 °C till 175 °C tål tuffa miljöer
• 15 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster
• 71 nC typisk grindladdning stöder snabb omkopplingskontroll
• 30 V maximal gate-källspänning möjliggör robust gate-drivning
• Driftområde -55 °C till 175 °C tål tuffa miljöer
Användningsområden
• Lämplig för utgångssteg för strömförsörjning med hög ström
• Idealisk för omkopplingselement för motordrivenheter
• Används med kylflänsregulatorer i industriella system
• Kan användas för omkoppling av DC/DC-omvandlare
• Lämplig för byte av genomgående hål i äldre kort
• Idealisk för omkopplingselement för motordrivenheter
• Används med kylflänsregulatorer i industriella system
• Kan användas för omkoppling av DC/DC-omvandlare
• Lämplig för byte av genomgående hål i äldre kort
Vilken monteringsmetod används?
Den levereras i en TO‐220-förpackning avsedd för montering genom hål och kylelement.
Vilken typ av kanal och omkopplingsläge använder den?
Enheten är en N-kanalstransistor med förstärkningsläge som är utformad för snabb omkoppling i strömkretsar.
Vilka är gränserna för grind- och avtappningsspänningar?
Grinden kan drivas upp till 30 V och drain-källspänningen kan nå 150 V.
Hur mycket kontinuerlig ström kan den hantera och vad är värmekapaciteten?
Den stöder 85 A kontinuerlig dräneringsström med en maximal effektförlust på 350 W.
Finns det miljö- eller godkännandehänsyn för användningen?
Komponenten uppfyller RoHS-kraven och fungerar i ett temperaturområde från -55 °C till 175 °C.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 85 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 35 A 150 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 250 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 76 A 200 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 83 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 150 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET