Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 5.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 50 enheter)*

466,35 kr

(exkl. moms)

582,95 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 5 150 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 +9,327 kr466,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-0860
Tillv. art.nr:
IRF510SPBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

IRF

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

540mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.3nC

Maximal effektförlust Pd

3.7W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

2.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.67mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.83mm

Bredd

4.83mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, 100 V till 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.