Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.2 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF620
- RS-artikelnummer:
- 178-0854
- Tillv. art.nr:
- IRF620PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
399,15 kr
(exkl. moms)
498,95 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 900 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 7,983 kr | 399,15 kr |
| 100 - 200 | 6,787 kr | 339,35 kr |
| 250 + | 5,99 kr | 299,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-0854
- Tillv. art.nr:
- IRF620PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | IRF620 | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS 2002/95/EC | |
| Längd | 10.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie IRF620 | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.7mm | ||
Höjd 9.01mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS 2002/95/EC | ||
Längd 10.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay IRF620-serien effekt-MOSFET, 200 V drain-källspänning, 50 W effektförlust - IRF620PBF
Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal avsedd för kraftelektronik med genomgående hål. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för omkopplings- och förstärkningsuppgifter där en robust dräneringskällspänningskapacitet krävs. Komponenten presenteras i en konventionell hålförpackning för att underlätta montering i blandade teknikmonteringar.
Funktioner och fördelar:
• 200 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 0.8 Ω påslagningsresistans minskar ledningsförluster i kretsar med låg ström
• Kontinuerlig dräneringsström på 5.2 A stöder måttliga effektbelastningar
• Effektförlustkapacitet på 50 W möjliggör hantering av varaktig värmebelastning
• 14 nC typisk grindladdning främjar effektiv grindstyrning vid Vgs20 V
• Förbättringsläge för N-kanal förenklar användningen i vanliga omkopplingstopologier
• 0.8 Ω påslagningsresistans minskar ledningsförluster i kretsar med låg ström
• Kontinuerlig dräneringsström på 5.2 A stöder måttliga effektbelastningar
• Effektförlustkapacitet på 50 W möjliggör hantering av varaktig värmebelastning
• 14 nC typisk grindladdning främjar effektiv grindstyrning vid Vgs20 V
• Förbättringsläge för N-kanal förenklar användningen i vanliga omkopplingstopologier
Användningsområden
• Lämplig för nätaggregat som hanterar högspänningsskenor
• Idealisk för motorstyrning i små industriella drivenheter
• Används med ljudförstärkare som kräver högspänningstransistorer
• Kan användas för DC/DC-omvandlare i bordsutrustning
• Lämplig för hobby- och prototypmonteringar med genomgående hål
• Idealisk för motorstyrning i små industriella drivenheter
• Används med ljudförstärkare som kräver högspänningstransistorer
• Kan användas för DC/DC-omvandlare i bordsutrustning
• Lämplig för hobby- och prototypmonteringar med genomgående hål
Vilken grindspänning bör tillämpas för tillförlitlig omkoppling?
Enheten accepterar upp till 20 V mellan grind och källa
använda lämpliga gate-drivspänningar under denna max för att växla effektivt.
Hur påverkar den termiska prestandan monteringsvalen?
Med en maximal dissipation på 50 W rekommenderas en kylelement eller ett tillräckligt kopparområde för kretskortet för att upprätthålla kopplingstemperaturer inom säkra gränser under kontinuerlig drift.
Vilka är de förväntade omkopplingsegenskaperna?
Den typiska grindladdningen på 14 nC vid den angivna grinddrivningen indikerar måttliga krav på grinddrivarenergi och påverkar omkopplingshastighet och drivkretsval.
Vilka miljöextremer kan den tolerera?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i ett brett spektrum av omgivningsmiljöer och miljöer med förhöjd temperatur.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.2 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF620
- Vishay N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 5.2 A 200 V, TO-220AB
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFZ48R
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 1.7 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBE
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF820
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF510
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.3 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBC20