Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 1.7 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBE

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

739,20 kr

(exkl. moms)

924,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 26 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5014,784 kr739,20 kr
100 - 20013,306 kr665,30 kr
250 +12,566 kr628,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-0843
Tillv. art.nr:
IRFBF20PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

900V

Serie

IRFBE

Kapseltyp

TO-220AB

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

38nC

Maximal effektförlust Pd

54W

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.41mm

Standarder/godkännanden

RoHS 2002/95/EC

Bredd

4.7mm

Höjd

9.01mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, 600V till 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.