Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 1.7 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBE
- RS-artikelnummer:
- 178-0843
- Tillv. art.nr:
- IRFBF20PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 178-0843
- Tillv. art.nr:
- IRFBF20PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 900V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Serie | IRFBE | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 54W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS 2002/95/EC | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Längd | 10.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 900V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Serie IRFBE | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 54W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS 2002/95/EC | ||
Höjd 9.01mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Längd 10.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 600V till 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 1.7 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBE
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.6 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBE
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFZ48R
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF820
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.6 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF510
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.3 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBC20
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 11 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFB11N50A