Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBC20
- RS-artikelnummer:
- 178-0839
- Tillv. art.nr:
- IRFBC20PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
668,65 kr
(exkl. moms)
835,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 950 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 13,373 kr | 668,65 kr |
| 100 - 200 | 11,368 kr | 568,40 kr |
| 250 + | 10,698 kr | 534,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-0839
- Tillv. art.nr:
- IRFBC20PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | IRFBC20 | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.4Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.41mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie IRFBC20 | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.4Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.41mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 4.7mm | ||
Höjd 9.01mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IRFBC20-serien från Vishay effekt-MOSFET, 600 V maximal drain-källspänning, 50 W maximal effektförlust – IRFBC20PBF
Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för användning i strömomvandlings- och styrkretsar. Den fungerar som en förstärkningsenhet som är lämplig för omkopplings- och förstärkningsuppgifter över ett brett industriellt temperaturområde, och levereras i en TO-220AB-förpackning med genomgående hål för enkel montering och integrering av kylelement.
Funktioner och fördelar:
• 600 V drain-to-source-motstånd möjliggör högspänningskoppling
• 2.2 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 4,4 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförluster där strömmarna är begränsade
• Maximal effektförlust på 50 W möjliggör varaktig termisk belastning
• 18 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• 20 V grindklassning möjliggör vanliga grinddrivarspänningar
• 2.2 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 4,4 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförluster där strömmarna är begränsade
• Maximal effektförlust på 50 W möjliggör varaktig termisk belastning
• 18 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• 20 V grindklassning möjliggör vanliga grinddrivarspänningar
Användningsområden
• Lämplig för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Idealisk för switchade strömkontroller i industriell utrustning
• Används med diskreta drivsteg i motorstyrningsgränssnitt
• Kan användas för snubber- och klämfunktioner i kraftsystem
• Lämplig för prototypframtagning i laboratorier med genomgående hålmontering
• Idealisk för switchade strömkontroller i industriell utrustning
• Används med diskreta drivsteg i motorstyrningsgränssnitt
• Kan användas för snubber- och klämfunktioner i kraftsystem
• Lämplig för prototypframtagning i laboratorier med genomgående hålmontering
Vilka omgivningstemperaturer tål den i drift?
Den kan användas inom ett industriellt område från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska miljöer.
Hur ska den monteras för effektiv värmeavledning?
TO-220AB-formatet med genomgående hål är kompatibelt med vanliga kylflänsar och kretskortsmontering med skruvfäste för förbättrad värmeöverföring.
Vilka gränsvärden för grinddrivning måste iakttas?
Den maximala gate-till-källspänningen är 20 V, så gate-drivkretsar bör begränsas till den nivån för att undvika att skada gate-oxiden.
Är den lämplig för tillämpningar av fordonskvalitet?
Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder och bör därför undvikas där fordonsgodkännanden är obligatoriska.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBC20
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 9.2 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFB9N60A
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF840A
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFZ48R
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.1 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBG30
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 4.1 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBE30
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.6 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFBE
- onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 79 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench