Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF9630
- RS-artikelnummer:
- 178-0827
- Tillv. art.nr:
- IRF9630PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (50 enheter, i ett rör med 50)*
739,20 kr
(exkl. moms)
924,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 14,784 kr | 739,20 kr |
| 100 - 200 | 12,566 kr | 628,30 kr |
| 250 + | 11,827 kr | 591,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-0827
- Tillv. art.nr:
- IRF9630PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IRF9630 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 800mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 74W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -6.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 9.01mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IRF9630 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 800mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 74W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -6.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 9.01mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishays tredje generationens effekt-MOSFET-transistorer ger designern den bästa kombinationen av snabb switchning, robust enhetsdesign, låg påslagningsresistans och kostnadseffektivitet. TO-220AB-kapseln föredras universellt för alla kommersiella och industriella tillämpningar med effektförlustnivåer på cirka 50 W.
Dynamisk dV/dt-klassning
Enkel synkronisering
Enkla krav på drivning
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF9630
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, IRF9630S
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.8 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF