Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 11 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFB11N50A

RS-artikelnummer:: 178-0823
Tillv. art.nr:: IRFB11N50APBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 11 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFB11N50A

Antal (1 rör med 50 enheter)*

860,15 kr

(exkl. moms)

1 075,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

200 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	17,203 kr	860,15 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-0823
Tillv. art.nr:: IRFB11N50APBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	11A
	Maximal källspänning för dränering Vds	500V
	Kapseltyp	TO-220AB
	Serie	IRFB11N50A
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	520mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	170W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	52nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.5V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-30V, +30V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	9.01mm
	Längd	10.41mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Bredd	4.7mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A
	Maximal källspänning för dränering Vds 500V
	Kapseltyp TO-220AB
	Serie IRFB11N50A
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 520mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 170W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 52nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.5V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 9.01mm
	Längd 10.41mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Bredd 4.7mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

Logga in för att ladda ner CAD-modeller

Vishay IRFB11N50A-serien effekt-MOSFET, 500 V drain-källspänning, 11 A kontinuerlig drain-ström – IRFB11N50APBF

Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för montering av genomgående hål i industri- och kraftelektronik. Den fungerar över ett brett temperaturområde, stöder betydande omkopplingsströmmar och spänningar, och levereras i en TO-220AB-kapsel för enkel kylfläns och chassifäste.

Funktioner och fördelar:

• 500 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 11 A stöder hantering av tung belastning
• Maximal dissipation på 170 W möjliggör betydande effektomkoppling
• 520 mΩ Rds(on) ger förutsägbara ledningsförluster
• 52 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad grinddrivkonstruktion
• Gränsen på 30 V skyddar mot överdriven drivspänning

Användningsområden

• Lämplig för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Idealisk för industriella motorstyrningssteg
• Används med diskreta MOSFET-enheter i effektväxelriktare
• Kan användas för switchade strömregulatorer och styrenheter
• Lämplig för laboratorieinställningar för strömtest och prototyper

Vilket temperaturområde kan jag förvänta mig för fält- och lagringsförhållanden?

Den fungerar mellan -55 °C och 150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa miljöer.

Hur monteras och kylas enheten i ett system?

Formatet TO-220AB med genomgående hål gör det möjligt att bulta fast en extern kylelement eller chassi för förbättrad värmeöverföring.

Vilka överväganden om grinddrivning är viktiga för att förhindra skador?

Håll grindspänningen inom en gräns på 30 V och utforma drivaren för att ladda cirka 52 nC för att växla tillförlitligt.

Hur påverkar den framåtriktade spänningen ledningen i kretsar?

Framspänningen på 1,5 V påverkar de totala systemförlusterna under ledning och bör inkluderas i beräkningarna av värme och effektivitet.