Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 11 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFB11N50A

RS-artikelnummer:: 178-0823
Tillv. art.nr:: IRFB11N50APBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 11 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFB11N50A

Antal (1 rör med 50 enheter)*

860,15 kr

(exkl. moms)

1 075,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

200 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	17,203 kr	860,15 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-0823
Tillv. art.nr:: IRFB11N50APBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	11A
	Maximal källspänning för dränering Vds	500V
	Kapseltyp	TO-220AB
	Serie	IRFB11N50A
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	520mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	52nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	170W
	Framåtriktad spänning Vf	1.5V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	10.41mm
	Höjd	9.01mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Bredd	4.7mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A
	Maximal källspänning för dränering Vds 500V
	Kapseltyp TO-220AB
	Serie IRFB11N50A
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 520mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 52nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 170W
	Framåtriktad spänning Vf 1.5V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 10.41mm
	Höjd 9.01mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Bredd 4.7mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

Logga in för att ladda ner CAD-modeller

Vishay IRFB11N50A-serien effekt-MOSFET, 500 V maximal drain-källspänning, 11 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFB11N50APBF

Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för strömomvandling och styrning i industriella system. Den fungerar som en förstärkningstransistor för hantering av högspänningslaster och monteras genom kretskortet med hjälp av ett TO-220AB-hålspaket för enkel kylelement och montering.

Funktioner och fördelar:

• Maximal dränering-källspänning på 500 V möjliggör högspänningsomkoppling
• Kontinuerlig dräneringsström på 11 A stöder måttliga belastningsströmmar
• 520 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster i kretsar med låg belastning
• 170 W effektförlust möjliggör betydande termisk hantering
• 52 nC typisk grindladdning underlättar förutsägbar omkopplingsdynamik
• Maximal drifttemperatur på 150 °C upprätthåller förhöjda termiska miljöer

Användningsområden

• Lämplig för SMPS-omkoppling på primärsidan i strömförsörjningar
• Idealisk för växling av växelriktare i motordrivenheter
• Används för högspännings-DC-DC-omvandlingsmoduler
• Kan användas för industriella relä- och kontaktorstyrkretsar

Vilka gränser för grinddrivning bör jag observera för säker drift?

Driv grinden inom ±30 V för att undvika att överskrida den maximala grindkällan och säkerställa tillförlitlig omkoppling.

Hur påverkar värmehanteringen prestandan under kontinuerlig belastning?

Anslut en kylelement till TO-220AB-fliken för att hålla kopplingstemperaturen under maximala gränser och bibehålla den angivna effektförlustkapaciteten.

Vilket omgivningsområde stöds för implementering på industriella platser?

Enheten tolererar driftstemperaturer ned till -55 °C och upp till 150 °C för användning i breda miljöförhållanden.

Hur påverkar kapslingstypen montering och servicekapacitet?

Formatet TO-220AB med genomgående hål möjliggör säker mekanisk montering och enkelt byte under underhåll.