Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, -12 A -200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP9240

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 25 enheter)*

624,95 kr

(exkl. moms)

781,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 575 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
25 - 2524,998 kr624,95 kr
50 - 10023,498 kr587,45 kr
125 +21,253 kr531,33 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-0786
Tillv. art.nr:
IRFP9240PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-12A

Maximal källspänning för dränering Vds

-200V

Kapseltyp

TO-247AC

Serie

IRFP9240

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

500mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

44nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

150W

Framåtriktad spänning Vf

-5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

20.7mm

Längd

15.87mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

5.31mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay IRFP9240-serien effekt-MOSFET, 150 W maximal effektförlust, -200 V maximal drain-källspänning - IRFP9240PBF


Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med P-kanal som är utformad för strömhantering och högspänningstillämpningar. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och levereras i en hålkapsling som är lämplig för robust kretskortsmontering. Enheten är avsedd för kretsar som kräver betydande effekthantering och P-kanaltopologi för högsidig omkoppling eller polaritetsspecifika arrangemang.

Funktioner och fördelar:


• -200 V drain‐source-klassning möjliggör högspänningsväxlingskapacitet
• Förbättringsläge för P-kanal förenklar omkopplingsarrangemang på höga sidan
• Kontinuerlig drain-ström på 12 A stöder måttliga höga strömbelastningar
• Effektförlust på 150 W möjliggör hållbar strömhantering
• Maximal Rds(on) på 500 mΩ minskar ledningsförlusterna under belastning
• 44 nC typisk grindladdning ger förutsägbara krav på grinddrivning

Användningsområden


• Lämplig för högspänningsströmskenor och polaritetsskydd
• Idealisk för high-side-omkopplare i DC-distributionssystem
• Används med grinddrivare som kräver måttlig laddningshantering
• Kan användas för industriella strömförsörjningsmoduler och strömförsörjningar
• Lämplig för diskreta effektsteg i omvandlare

Vilken monteringsstil krävs för värmehantering?


Den levereras i en TO‐247AC-förpackning med genomgående hål avsedd för kylelement på ett chassi eller dedikerade kylflänsar för att effektivt avleda värme.

Vilka spänningsbegränsningar för grinddrivning måste jag observera?


Den maximala gate-källspänningen är 20 V, så grinddrivare bör begränsas inom detta intervall för att undvika grindöverspänning.

Hur påverkar temperaturen driftsgränserna?


Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, så nedgradering och termisk design bör ta hänsyn till förhöjda kopplingstemperaturer.

Hur många elektriska anslutningar presenteras för kretsintegrering?


Enheten har tre stift för drain-, gate- och källanslutning, vilket överensstämmer med standardisolerade MOSFET-implementeringar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.