Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 640 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN0300

RS-artikelnummer:: 177-9705
Tillv. art.nr:: VN0300L-G
Tillverkare / varumärke:: Microchip

Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 640 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, VN0300

Antal (1 påse med 1000 enheter)*

10 994,00 kr

(exkl. moms)

13 742,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 30 april 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per påse*
1000 +	10,994 kr	10 994,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 177-9705
Tillv. art.nr:: VN0300L-G
Tillverkare / varumärke:: Microchip

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Microchip
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	640mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Serie	VN0300
	Kapseltyp	TO-92
	Fästetyp	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	3.3Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30 V
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Maximal effektförlust Pd	1W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	5.33mm
	Längd	5.08mm
	Bredd	4.06 mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Microchip
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 640mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Serie VN0300
	Kapseltyp TO-92
	Fästetyp Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 3.3Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Maximal effektförlust Pd 1W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 5.33mm
	Längd 5.08mm
	Bredd 4.06 mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: TW

Mikrochipteknik MOSFET

Microchip Technology genomgående hålmonterad N-kanal MOSFET är en ny produkt med en drain-source spänning på 30V och en maximal gate-source spänning på 30V. Den har ett drain-source-motstånd på 1,2 ohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en kontinuerlig dräneringsström på 640 mA och en maximal effektförlust på 1 W. Minsta och högsta drivspänning för denna MOSFET är 5V respektive 10V. MOSFET:en är en förstärknings-MOSFET (normalt avstängd) som använder en vertikal DMOS-struktur och en väl beprövad tillverkningsprocess med kiselgrindar. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringsförmåga som bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som MOS-enheter har. En viktig egenskap hos alla MOS-strukturer är att denna enhet är fri från termisk flykt och termiskt inducerad sekundär nedbrytning. Denna vertikala DMOS FET har optimerats för lägre switch- och ledningsförluster. MOSFET:en ger utmärkt effektivitet och en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• Enkel synkronisering

• Utmärkt värmestabilitet

• Fri från sekundära avbrott

• Hög ingångsimpedans och hög förstärkning

• Drain-diod med integrerad källa

• Låg CISS och snabba omkopplingshastigheter

• Låga effektkrav för drivning

• Driftstemperaturer mellan -55°C och 150°C

Användningsområden

• Förstärkare

• Omvandlare

• Drivdon: reläer, hammare, solenoider, lampor, minnen, displayer, bipolära transistorer etc.

• Motorstyrning

• Strömförsörjningskretsar

• Omkopplare

Certifieringar

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC