Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 960 mA 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, IRFL210

RS-artikelnummer:: 177-7608
Tillv. art.nr:: IRFL210TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 960 mA 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, IRFL210

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

10 665,00 kr

(exkl. moms)

13 330,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 28 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	4,266 kr	10 665,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 177-7608
Tillv. art.nr:: IRFL210TRPBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	960mA
	Maximal källspänning för dränering Vds	200V
	Serie	IRFL210
	Kapseltyp	SOT-223
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	1.5Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	8.2nC
	Maximal effektförlust Pd	3.1W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	6.7mm
	Höjd	1.8mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Bredd	3.7mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 960mA
	Maximal källspänning för dränering Vds 200V
	Serie IRFL210
	Kapseltyp SOT-223
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.2nC
	Maximal effektförlust Pd 3.1W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 6.7mm
	Höjd 1.8mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Bredd 3.7mm
	Fordonsstandard Nej

IRFL210, SiHFL210, Power MOSFET

Vishay IRFL210-serien effekt-MOSFET, 200 V maximal drain-källspänning, 960 mA maximal kontinuerlig drain-ström - IRFL210TRPBF

Denna effekt-MOSFET är en ytmonterad N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för omkoppling och förstärkning i elektroniska styr- och strömomvandlingskretsar. Den erbjuder högspänningskapacitet och ett grinddrivsortiment som är lämpligt för lågspänningsstyrning, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver kompakt SOT-223-förpackning och måttlig kontinuerlig dräneringsprestanda.

Funktioner och fördelar:

• 200 V Vds möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 1,5 Ω Rds ger förutsägbar påslagningsresistans för belastningsstyrning
• 960 mA kontinuerlig dräneringsström som stöder måttliga belastningar
• 8,2 nC typisk grindladdning som möjliggör låga energikrav för drivning
• 20 V maximal gate-source-spänning möjliggör standard gate-drivmarginaler
• 3,1 W effektförlust för termisk planering i begränsade monteringar

Användningsområden

• Lämplig för nätaggregat och omvandlare med medelstor spänning
• Idealisk för motorstyrning i små automationssystem
• Används för omkopplingsläge i instrumentering
• Kan användas för belastningsomkoppling i kontrollpaneler

Vilket driftstemperaturområde kan jag förvänta mig för tillförlitlighet?

Enheten fungerar från -55 °C upp till en maximal kopplingstemperatur på 150 °C, vilket informerar termisk design och nedgradering för långvarig användning.

Hur ska jag ta hänsyn till förpackningsrelaterade termiska gränser?

Maximal effektförlust är 3,1 W

termisk hantering måste ta hänsyn till koppararea på kretskortet och omgivningsförhållanden för att undvika att överskrida denna gräns.

Vilka begränsningar för grinddrivning måste observeras?

Grindspänningen får inte överstiga 20 V för att förhindra grindoxidspänning, och den typiska grindladdningen på 8,2 nC bestämmer den erforderliga drivströmmen för omkopplingshastigheter.

Vilka mekaniska överväganden finns det för montering?

Komponenten levereras i en SOT-223-förpackning med ett antal stift på 4, vilket påverkar lödpadens layout och omsmältningsprofiler.

Finns det begränsningar för kontinuerlig strömkapacitet?

Kontinuerlig dräneringsström är specificerad på 960 mA, så konstruktionerna bör innehålla marginal för inkopplings- och transientförhållanden.