Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 960 mA 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, IRFL210
- RS-artikelnummer:
- 177-7608
- Tillv. art.nr:
- IRFL210TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 177-7608
- Tillv. art.nr:
- IRFL210TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 960mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Serie | IRFL210 | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.7mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 960mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Serie IRFL210 | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 3.1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.7mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 3.7mm | ||
Höjd 1.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay IRFL210-serien effekt-MOSFET, 200 V maximal drain-källspänning, 3,1 W maximal effektförlust - IRFL210TRPBF
Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för ytmonterad strömomkoppling i krävande elektroniska system. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är lämplig för roller som kräver kontrollerade dräneringsströmmar och grinddriven omkoppling, med ett paket som stöder lödda kretskortsmonteringar.
Funktioner och fördelar:
• 200 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 1.5 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster i lågströmskretsar
• 8.2 nC typisk grindladdning stöder måttliga omkopplingshastigheter
• 960 mA kontinuerlig dräneringskapacitet för kontinuerlig strömförsörjning
• ±20 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler
• RoHS-överensstämmelse säkerställer att tillverkningen följer begränsade ämnen
• 1.5 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster i lågströmskretsar
• 8.2 nC typisk grindladdning stöder måttliga omkopplingshastigheter
• 960 mA kontinuerlig dräneringskapacitet för kontinuerlig strömförsörjning
• ±20 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler
• RoHS-överensstämmelse säkerställer att tillverkningen följer begränsade ämnen
Användningsområden
• Lämplig för omkoppling på strömförsörjningens sekundära sida
• Idealisk för omkoppling av motorstyrningssignal och steg
• Används med små belysningsdrivare och LED-reglering
• Kan användas för industriella styrkretsar
• Lämplig för batterihantering och switchning med låg effekt
• Idealisk för omkoppling av motorstyrningssignal och steg
• Används med små belysningsdrivare och LED-reglering
• Kan användas för industriella styrkretsar
• Lämplig för batterihantering och switchning med låg effekt
Vilket temperaturområde tål enheten i drift?
Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i industriella temperaturmiljöer.
Vilken förpackning bör förväntas för montering på ett kretskort?
Komponenten levereras i ett SOT-223-format för ytmontering som är lämpligt för vanliga omsmältningsprocesser.
Hur mycket ström kan dissiperas under monteringen?
Den maximala effektförlusten är klassad till 3,1 W, vilket informerar om val av värmehantering och kylelement.
Hur många stift har komponenten och vilken är monteringstypen?
Den har fyra stift och är utformad för ytmontering på ett kretskort.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 960 mA 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, IRFL210
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, -1.8 A -60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, IRFL9014
- onsemi N Kanal, MOSFET, 6.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223
- ROHM N Kanal, MOSFET 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223-3, R60
- onsemi N Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT451AN
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5.5 A 25 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, STN6N60M2
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
