ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P130SP
- RS-artikelnummer:
- 172-0456
- Tillv. art.nr:
- RD3P130SPTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
176,06 kr
(exkl. moms)
220,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 040 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | 17,606 kr | 176,06 kr |
| 250 - 740 | 15,859 kr | 158,59 kr |
| 750 - 1190 | 14,437 kr | 144,37 kr |
| 1200 - 1990 | 12,365 kr | 123,65 kr |
| 2000 + | 12,107 kr | 121,07 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 172-0456
- Tillv. art.nr:
- RD3P130SPTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 13A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | RD3P130SP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 200mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Bredd | 6.4mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Längd | 6.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 13A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie RD3P130SP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 200mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden Pb-free lead plating, RoHS | ||
Bredd 6.4mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Längd 6.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RD3P130SP är en effekt-MOSFET med lågt på-motstånd, lämplig för omkoppling.
Lågt motstånd vid påverkan.
Snabb växlingshastighet.
Drivkretsar kan vara enkla.
Parallell användning är lätt.
Blyfri plätering
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3P130SP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V, 3 Ben, TO-252, RD3
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, -4.5 A 45 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3H045SP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 45 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3H160SP
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3 AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R6013VND3 NaN
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RD3 AEC-Q101