onsemi N Kanal, MOSFET, 29 A 30 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, NTTFS4C02N

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
171-8365
Tillv. art.nr:
NTTFS4C02NTAG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

29A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

WDFN

Serie

NTTFS4C02N

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.1mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

20nC

Maximal effektförlust Pd

4.2W

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3.15mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.15mm

Höjd

0.75mm

Fordonsstandard

Nej

Effekt-MOSFET 30 V 170 A 2, 25 mOhm enkel N-kanal μ8FL

Låg RDS(on) för att minimera ledningsförluster

Låg kapacitans för att minimera drivförluster

Optimerad grindladdning för att minimera omkopplingsförluster

Dessa enheter är PbFree, halogenfria/BFR-fria

Användningsområden

DC-DC-omvandlare

Strömbrytare

Batterihantering för bärbara datorer

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.