Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

151,20 kr

(exkl. moms)

189,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 130 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 4015,12 kr151,20 kr
50 - 9012,958 kr129,58 kr
100 - 99011,357 kr113,57 kr
1000 +10,069 kr100,69 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2494
Tillv. art.nr:
TK65S04N1L
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

65A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

107W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

39nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.5mm

Höjd

2.3mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

RoHS-status: Inte relevant

COO (ursprungsland):
JP
Användningsområden

Fordonsindustrin

Motordrivkrets,

Regulator för omkopplingsspänning

Egenskaper

Låg drain-källa påslagningsresistans: RDS(ON) = 3,3 mΩ (typ.

Låg läckström: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Förbättringsläge: Vth = 1,5 till 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.