Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (5 enheter, i en förpackning med 5)*

100,69 kr

(exkl. moms)

125,86 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 5 enhet(er) är redo att levereras
  • Plus 10 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
  • Dessutom levereras 1 375 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +20,138 kr100,69 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2485
Tillv. art.nr:
TJ60S04M3L
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

9.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +10V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

90W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

125nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

7mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.3mm

Längd

6.5mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

RoHS-status: Inte relevant

COO (ursprungsland):
JP
Användningsområden

Fordonsindustrin

Motordrivkrets,

DC/DC-omvandlare

Regulator för omkopplingsspänning

Egenskaper

Låg dränering-källa-motstånd på: RDS(ON) = 7,0 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Låg läckström: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)

Förbättringsläge: Vth = -2,0 till -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.