Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 171-2428
- Tillv. art.nr:
- TK65S04N1L
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
18 954,00 kr
(exkl. moms)
23 692,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 9,477 kr | 18 954,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-2428
- Tillv. art.nr:
- TK65S04N1L
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 65A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 107W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 65A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximal effektförlust Pd 107W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Inte relevant
- COO (ursprungsland):
- JP
Användningsområden
Fordonsindustrin
Motordrivkrets,
Regulator för omkopplingsspänning
Egenskaper
Låg drain-källa påslagningsresistans: RDS(ON) = 3,3 mΩ (typ.
Låg läckström: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)
Förbättringsläge: Vth = 1,5 till 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)
Relaterade länkar
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 10 μA 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSON