Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 171-2473
- Tillv. art.nr:
- TJ15P04M3
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
68,99 kr
(exkl. moms)
86,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 90 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 6,899 kr | 68,99 kr |
| 50 - 90 | 5,914 kr | 59,14 kr |
| 100 - 990 | 5,174 kr | 51,74 kr |
| 1000 + | 4,491 kr | 44,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-2473
- Tillv. art.nr:
- TJ15P04M3
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 48mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 29W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 7.18mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 48mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximal effektförlust Pd 29W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 7.18mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Inte relevant
- COO (ursprungsland):
- CN
Låg dränering-källa-motstånd på: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)
Låg läckström: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -40 V)
Förbättringsläge: Vth = -0,8 till -2,0 V (VDS = -10 V, ID = -0,1 mA)
Användningsområden:
Motordrivkrets,
Strömstyrningsswitchar
Relaterade länkar
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 15 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 10 μA 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 11.1 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 6.8 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 5.8 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, DTMOSIV