Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20.7 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, SPA20N60C3

RS-artikelnummer:: 170-2267
Tillv. art.nr:: SPA20N60C3XKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20.7 A 600 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, SPA20N60C3

Antal (1 rör med 50 enheter)*

934,55 kr

(exkl. moms)

1 168,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

500 enhet(er) levereras från den 27 augusti 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	18,691 kr	934,55 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 170-2267
Tillv. art.nr:: SPA20N60C3XKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	20.7A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Serie	SPA20N60C3
	Kapseltyp	TO-220
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	4
	Maximal drain-källresistans Rds	190mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	34.5W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	87nC
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	10.65mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	16.15mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20.7A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Serie SPA20N60C3
	Kapseltyp TO-220
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 4
	Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 34.5W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 87nC
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 10.65mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 16.15mm
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Undantagen

Infineon MOSFET

Infineon TO-220FP-3 genomgående hålmonterad N-kanal MOSFET är en ny tidsprodukt med ett dräneringskällmotstånd på 190 Mohm vid en grindkällspänning på 10 V. MOSFET har en kontinuerlig dräneringsström på 20,7 A. Den har en maximal grindkällspänning på 20 V och dräneringskällspänning på 600 V. Den har en maximal effektförlust på 34,5 W. MOSFET har en drivspänning på 10 V. Den har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• Lätt att använda

• Fältbeprövad CoolMOM-kvalitet

• Hög effektivitet och effekttäthet

• Hög toppströmskapacitet

• Hög tillförlitlighet

• Förbättrad transkonduktans

• Fri från bly (Pb)

• Låg grindladdning (Qg)

• Låg specifik on-state-resistans

• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C

• Enastående kostnad/prestanda

• Periodisk avalanche-klassad

• Ultralåg grindladdning

• Mycket låg energilagring i utgångskapacitans (Eoss) 400 V

Användningsområden

• (PB-745) Adapter

• PC-ström

• Strömförsörjning för server

• Telekommunikation

Certifieringar

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• JEDEC