Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR5305PBF
- RS-artikelnummer:
- 171-1909
- Distrelec artikelnummer:
- 304-36-989
- Tillv. art.nr:
- IRFR5305TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
379,58 kr
(exkl. moms)
474,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 29 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 18,979 kr | 379,58 kr |
| 100 - 180 | 14,807 kr | 296,14 kr |
| 200 - 480 | 13,843 kr | 276,86 kr |
| 500 - 980 | 12,897 kr | 257,94 kr |
| 1000 + | 11,962 kr | 239,24 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-1909
- Distrelec artikelnummer:
- 304-36-989
- Tillv. art.nr:
- IRFR5305TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 31A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IRFR5305PBF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 7.49mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 31A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IRFR5305PBF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 7.49mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.39mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Uppfyller ej RoHS
Infineon IRFR5305 är en 55V enkel P-kanalig HEXFET power MOSFET i D-Pak-förpackning. D-Pak är konstruerad för ytmontering med hjälp av ångfas-, infraröd- eller våglödningsteknik.
Avancerad processteknik
Snabbväxlande
Fullständigt lavinklassad
Blyfri
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR5305PBF
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET