Nexperia 2 N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 180 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, TSSOP, NX3020NAKS
- RS-artikelnummer:
- 170-4878
- Tillv. art.nr:
- NX3020NAKS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 509,00 kr
(exkl. moms)
1 887,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,503 kr | 1 509,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 170-4878
- Tillv. art.nr:
- NX3020NAKS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | UltraFET Trench MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TSSOP | |
| Serie | NX3020NAKS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp UltraFET Trench MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TSSOP | ||
Serie NX3020NAKS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.35mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Robust gränssnitt mellan asynkrona och synkrona system. Flipflops är grundläggande lagringselement i digital elektronik. Genom att endast låta utgången ändras vid en kantövergång ger flipflops ett robust gränssnitt mellan asynkrona och synkrona system. Med ett urval av antingen positiva eller negativa kantutlösningsalternativ ger de extra designflexibilitet.
Fälteffekttransistor (FET) med dubbelt N-kanalförstärkningsläge i ett mycket litet SOT363 (SC-88) ytmonterat enhets (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.
Mycket snabb omkoppling
Trench MOSFET-teknik
ESD-skydd
Låg tröskelspänning
Måltillämpningar
Relädrivare
Höghastighetsledningsdrivare
Lastomkopplare på låg sida
Omkopplingskretsar
Relaterade länkar
- Nexperia 2 Typ N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 180 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, TSSOP, NX3020NAKS
- Nexperia 2 Typ P Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 500 mA -20 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 260 mA 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, NX3008CBKS AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 870 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 860 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101