Nexperia 2 N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 180 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, TSSOP, NX3020NAKS
- RS-artikelnummer:
- 170-4878
- Tillv. art.nr:
- NX3020NAKS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*
1 509,00 kr
(exkl. moms)
1 887,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 06 oktober 2027
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,503 kr | 1 509,00 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i en rulle med 3000)
2 997,00 kr
(exkl. moms)
3 746,25 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 170-4878
- Tillv. art.nr:
- NX3020NAKS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | UltraFET Trench MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TSSOP | |
| Serie | NX3020NAKS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.1W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp UltraFET Trench MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TSSOP | ||
Serie NX3020NAKS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.1W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Bredd 1.35mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Relaterade länkar
- Nexperia 2 N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 180 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, TSSOP, NX3020NAKS
- Nexperia 2 N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 260 mA 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ P Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 500 mA -20 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, NX3008CBKS AEC-Q101
- Nexperia 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 860 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 870 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101