Nexperia 2 N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 260 mA 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
153-1880
Tillv. art.nr:
NX7002BKXBZ
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

UltraFET Trench MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

260mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

Trench MOSFET

Kapseltyp

DFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

5.7Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

4032mW

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.05mm

Längd

1.15mm

Höjd

360μm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET 40 V–60 V, logik- och standardnivå MOSFET i en mängd olika paket, ta ett urval av våra robusta och lättanvända MOSFET i 40 V till 60 V-området, en del av vår stora MOSFET-enhetsportfölj. De är perfekta för utrymmes- och strömkritiska tillämpningar, ger utmärkt omkopplingsprestanda och klassledande säkert driftsområde (SOA).

60 V, dubbel N-kanal Trench MOSFET, dubbelt N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i ett blyfritt ultraminiatyr DFN1010B-6 (SOT1216) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.

Logiknivåkompatibel

Blyfri ultra liten och ultratunn SMD-plastförpackning 1,1 x 1,0 x 0,37 mm

Trench MOSFET-teknik

>

Relädrivare

Höghastighetsledningsdrivare

Lastomkopplare på låg sida

Omkopplingskretsar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.