Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 150 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, IPP075N15N3 G
- RS-artikelnummer:
- 170-2323
- Tillv. art.nr:
- IPP075N15N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
80,08 kr
(exkl. moms)
100,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 452 enhet(er) levereras från den 06 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 40,04 kr | 80,08 kr |
| 10 - 18 | 38,025 kr | 76,05 kr |
| 20 - 48 | 33,265 kr | 66,53 kr |
| 50 - 98 | 30,80 kr | 61,60 kr |
| 100 + | 28,45 kr | 56,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 170-2323
- Tillv. art.nr:
- IPP075N15N3GXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IPP075N15N3 G | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 11.17mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IPP075N15N3 G | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 11.17mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
Summary of Features:
Excellent switching performance
Worlds lowest R DS(on)
Very low Q g and Q gd
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Halogen free
Benefits:
Environmentally friendly
Increased efficiency
Highest power density
Less paralleling required
Smallest board-space consumption
Easy-to-design products
Target Applications:
Synchronous rectification for AC-DC SMPS
Motor control for 48V–80V systems (i.e. domestic vehicles, power-tools, trucks)
Isolated DC-DC converters (telecom and datacom systems
Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems
Class D audio amplifiers
Uninterruptable power supplies (UPS)
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 100 A 150 V Förbättring TO-220, IPP075N15N3 G
- Infineon Typ N Kanal 85 A 150 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 104 A 150 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 43 A 150 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 83 A 150 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 17 A 150 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 150 A 30 V Förbättring TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 35 A 150 V Förbättring TO-220, HEXFET
