Infineon N Kanal, MOSFET, 104 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

59,36 kr

(exkl. moms)

74,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 28 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 696 enhet(er) från den 08 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1829,68 kr59,36 kr
20 - 4826,15 kr52,30 kr
50 - 9824,585 kr49,17 kr
100 - 19822,85 kr45,70 kr
200 +21,11 kr42,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
688-6932
Distrelec artikelnummer:
304-29-286
Tillv. art.nr:
IRFB4115PBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

104A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Kapseltyp

TO-220

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

11mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

77nC

Maximal effektförlust Pd

380W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.83mm

Höjd

9.02mm

Längd

10.67mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 150 V maximal drain-källspänning, 104 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFB4115PBF


Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet med hög effekt som är utformad för omkopplings- och strömomvandlingsuppgifter i krävande elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och levereras i en TO-220-förpackning med genomgående hål för enkel kylflänsning och montering. Enheten ger betydande kontinuerlig dräneringsströmkapacitet och är avsedd för tillämpningar som kräver effektiv hantering av höga strömmar och snabb omkopplingsprestanda.

Funktioner och fördelar:


• Maximal dräneringsspänning på 150 V möjliggör högspänningsomkoppling
• Kontinuerlig dräneringsström på 104 A stöder hantering av tung belastning
• Låg RDS(on) på 11 mΩ minimerar ledningsförluster vid hög ström
• 380 W effektförlust möjliggör långvarig termisk belastning
• 77 nC typisk grindladdning möjliggör snabba växlingsövergångar
• 1,3 V framspänning minskar diodledningsfallet

Användningsområden


• Lämplig för Infineon HEXFET 150 V MOSFET TO-220-motordrivkretsar
• Idealisk för 150 V 104 A MOSFET:er för switchade nätaggregat
• Används med högeffekts MOSFET-kretsar med N-kanalförstärkning
• Kan användas för TO-220-hålmonterade MOSFET-effektsteg på 380 W

Vilka gränsspänningsgränser bör konstruktörer observera?


Grind-till-källklassningen är ±20 V, så drivkretsar måste hålla VGS inom detta intervall för att undvika grindskador.

Hur fungerar enheten vid extrema temperaturer?


Den är specifik för drift från -55 °C till 175 °C, vilket säkerställer att de elektriska egenskaperna bibehålls under dessa omgivnings- och kopplingsförhållanden.

Vilka monterings- och stiftantalöverväganden gäller?


Komponenten har tre stift och är avsedd för genomgående hålmontering i TO-220-format för att underlätta säker anslutning av kylelementet.

Vilken kanal och vilket ledningsläge använder den?


Det är en N-kanal-enhet som drivs i förstärkningsläge och kräver en positiv grind i förhållande till källan för att slå på.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.