Infineon 1 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.7 A 55 V Avskrivningar, 8 Ben, SO-8, IRF7343PbF

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

17 688,00 kr

(exkl. moms)

22 112,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +4,422 kr17 688,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
170-2265
Tillv. art.nr:
IRF7343TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P, Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

SO-8

Serie

IRF7343PbF

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

170mΩ

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

960mV

Maximal effektförlust Pd

2W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5mm

Höjd

1.5mm

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

Nej

Uppfyller ej RoHS

Infineon IRF7343 är en 55 V dubbel N- och P-kanal HEXFET-effekt-MOSFET i en SO-8-kapsel.

RoHS-märkt

Låg RDS(on)

Dynamisk dv/dt-klassning

Snabbväxlande

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.