Vishay N Kanal, MOSFET, 42.8 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 252-0278
- Tillv. art.nr:
- SIR4608DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
123,54 kr
(exkl. moms)
154,43 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 6 025 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 24,708 kr | 123,54 kr |
| 50 - 245 | 23,228 kr | 116,14 kr |
| 250 - 495 | 20,966 kr | 104,83 kr |
| 500 - 1245 | 19,734 kr | 98,67 kr |
| 1250 + | 18,57 kr | 92,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 252-0278
- Tillv. art.nr:
- SIR4608DP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerPAK SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.01mΩ | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.15mm | |
| Längd | 6.15mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerPAK SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.01mΩ | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.15mm | ||
Längd 6.15mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay Siliconix MOSFET-produktserien innehåller ett mångsidigt utbud av avancerade tekniker. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. Fälteffekten innebär att de styrs av spänning. N-kanal MOSFET-transistorer innehåller ytterligare elektroner som är fria att röra sig. De är en mer populär kanaltyp. N-kanal MOSFET-transistorer fungerar när en positiv laddning appliceras på grindterminalen.
TrenchFET Gen V effekt-MOSFET
Mycket låg RDS - Qg meritfaktor (FOM)
Inställd för den lägsta RDS - Qoss FOM
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 42.8 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 49.3 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 63.7 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 93.6 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 42.4 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 48.1 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 84.8 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK SO-8 AEC-Q101