DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 7.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- RS-artikelnummer:
- 169-7462
- Tillv. art.nr:
- DMC4040SSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
10 112,50 kr
(exkl. moms)
12 640,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 16 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 4,045 kr | 10 112,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 169-7462
- Tillv. art.nr:
- DMC4040SSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.7V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.14W | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Bredd | 3.95mm | |
| Längd | 4.95mm | |
| Standarder/godkännanden | J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.7V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.14W | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.5mm | ||
Bredd 3.95mm | ||
Längd 4.95mm | ||
Standarder/godkännanden J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Dubbel N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 7.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 10.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 8.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 7.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 8.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q200, AEC-Q100,
- DiodesZetex Typ N, Typ P Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC