Vishay N Kanal, MOSFET, 600 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, Si1302DL

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
169-6089
Tillv. art.nr:
SI1302DL-T1-E3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

600mA

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SC-70

Serie

Si1302DL

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

480mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.86nC

Framåtriktad spänning Vf

800mV

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

280mW

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.35mm

Höjd

1mm

Längd

2.2mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, 30 V till 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.