DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- RS-artikelnummer:
- 169-4123
- Tillv. art.nr:
- ZVN4106FTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
53,89 kr
(exkl. moms)
67,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 25 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 1 995 enhet(er) från den 08 oktober 2026
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 11 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 10,778 kr | 53,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 169-4123
- Tillv. art.nr:
- ZVN4106FTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 330mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.05mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 330mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.05mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 60 mA 200 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 100 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 150 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG3402L AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 230 mA 250 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, ZVN4525E6 AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN2004K AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101