DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG3402L AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 165-8325
- Tillv. art.nr:
- DMG3402L-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
3 225,00 kr
(exkl. moms)
4 032,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 159 000 enhet(er) är redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,075 kr | 3 225,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-8325
- Tillv. art.nr:
- DMG3402L-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | DMG3402L | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 85mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12V, +12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.16V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.4W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie DMG3402L | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 85mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12V, +12V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.16V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.4W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG3402L AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 60 mA 200 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 100 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 150 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 230 mA 250 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, ZVN4525E6 AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 630 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN2004K AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101
