STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 168-7474
- Tillv. art.nr:
- STW48NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 645,05 kr
(exkl. moms)
2 056,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 560 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 54,835 kr | 1 645,05 kr |
| 60 + | 52,099 kr | 1 562,97 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-7474
- Tillv. art.nr:
- STW48NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 39A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | MDmesh | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 70mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 124nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 255W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 39A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie MDmesh | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 70mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 124nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 255W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 20.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 66 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2