STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 103-1991
- Tillv. art.nr:
- STW26NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (30 enheter, i ett rör med 30)*
1 463,61 kr
(exkl. moms)
1 829,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 510 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 48,787 kr | 1 463,61 kr |
| 150 - 270 | 46,495 kr | 1 394,85 kr |
| 300 + | 40,201 kr | 1 206,03 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 103-1991
- Tillv. art.nr:
- STW26NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 165mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 60nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -25V, +25V | |
| Maximal effektförlust Pd | 140W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Längd | 15.75mm | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 165mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 60nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -25V, +25V | ||
Maximal effektförlust Pd 140W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.15mm | ||
Längd 15.75mm | ||
Höjd 20.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 66 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 50 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2