STMicroelectronics 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 4.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M2

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
168-6980
Tillv. art.nr:
STB6N60M2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-263

Serie

MDmesh M2

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.2Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

60W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V, -25V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Enkel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

9.35mm

Längd

10.4mm

Bredd

4.6mm

Antal element per chip

1

COO (ursprungsland):
CN

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics


A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.