STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh M2

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

57,52 kr

(exkl. moms)

71,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 370 enhet(er) från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +11,504 kr57,52 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
786-3628
Tillv. art.nr:
STD9N60M2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

MDmesh M2

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

780mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

60W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10nC

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.6mm

Fordonsstandard

Nej

MDmeshTM M2-serien med N-kanal, STMicroelectronics


Ett sortiment av högspänningseffekts-MOSFET från STMicroelecronics. Med sin låga grindladdning och utmärkta utgångskapacitetsegenskaper är MDmesh M2-serien perfekt för användning i omkopplingsströmförsörjningar av resonanttyp (LLC-omvandlare).

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.