Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14.1 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 130-0897
- Tillv. art.nr:
- IPD50R380CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
103,94 kr
(exkl. moms)
129,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 60 enhet(er) från den 17 augusti 2026
- Dessutom levereras 60 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 10,394 kr | 103,94 kr |
| 50 - 490 | 9,89 kr | 98,90 kr |
| 500 - 990 | 7,134 kr | 71,34 kr |
| 1000 - 2490 | 5,914 kr | 59,14 kr |
| 2500 + | 5,779 kr | 57,79 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 130-0897
- Tillv. art.nr:
- IPD50R380CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 550V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 380mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 98W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.85V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24.8nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 550V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 380mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 98W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.85V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24.8nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14.1 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18.5 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4.8 A 550 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.6 A 550 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE