IXYS 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 120 A 300 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Polar3
- RS-artikelnummer:
- 168-4745
- Tillv. art.nr:
- IXFX120N30P3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 168-4745
- Tillv. art.nr:
- IXFX120N30P3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 300V | |
| Kapseltyp | PLUS247 | |
| Serie | HiperFET, Polar3 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.13kW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Längd | 16.13mm | |
| Höjd | 21.34mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 300V | ||
Kapseltyp PLUS247 | ||
Serie HiperFET, Polar3 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.13kW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.21mm | ||
Längd 16.13mm | ||
Höjd 21.34mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
- COO (ursprungsland):
- US
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien
Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS N Kanal, MOSFET, 150 A 300 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 80 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 78 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 120 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 210 A 300 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 94 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-3P, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 192 A 300 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 94 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3