IXYS N Kanal, MOSFET, 110 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, Trench

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

2 540,16 kr

(exkl. moms)

3 175,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +84,672 kr2 540,16 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4583
Tillv. art.nr:
IXTH110N25T
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

110A

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Serie

Trench

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

24mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

157nC

Maximal effektförlust Pd

694W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

16.26mm

Bredd

5.3mm

Höjd

21.46mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals Trench-Gate Power MOSFET, IXYS


Trench Gate MOSFET-teknik

Låg on-state-resistans RDS(on)

Överlägsen robusthet mot laviner

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.