IXYS N Kanal, MOSFET, 62 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar
- RS-artikelnummer:
- 168-4490
- Tillv. art.nr:
- IXTP62N15P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
2 446,65 kr
(exkl. moms)
3 058,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 900 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 48,933 kr | 2 446,65 kr |
| 100 - 200 | 46,487 kr | 2 324,35 kr |
| 250 + | 44,041 kr | 2 202,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-4490
- Tillv. art.nr:
- IXTP62N15P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 62A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 40mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 350W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 70nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 9.15mm | |
| Längd | 10.66mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 62A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 40mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 350W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 70nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 9.15mm | ||
Längd 10.66mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie
N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 62 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 250 V Förbättring, 4 Ben, TO-220, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 300 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar